우리는 천연아연박편들에 3~18MeV의 에네르기를 가진 양성자속을 쪼인 후 고순도게르마니움(HPGe) 반도체검출기로 66Ga, 68Ga, 61Cu, 63Zn, 65Zn형성반응들의 단면적을 측정하였다. 이로부터 66Zn(p, n)66Ga, 68Zn(p, n)68Ga, 64Zn(p, α)61Cu, 64Zn(p, pn)63Zn, 66Zn(p, pn)65Zn반응들의 려기함수들을 결정할수 있으며 이 결과들의 정확도는 이전의 연구결과들과 비교하여 증명된다.
반응표적은 매 박편의 두께가 18~20mg/cm2인 17개의 아연박편과 매 박편의 질량두께가 21.38mg/cm2인 18개의 동박편으로 구성되였다. 모든 박편들의 순도는 99.99%이상이고 아연박편과 동박편을 하나하나 엇바꾸어 쌓았다. 우리는 싸이클로트론에서 가속된 양성자로 제조된 반응표적을 쪼였다.
파라데이함과 련결된 전류적분기를 리용하여 15min동안 18MeV까지 가속된 양성자속의 흐름을 측정하였으며 전체 적분전류는 6.0210×10-5C에 도달하였다.
우리는 양성자속으로 적층된 박편들을 쪼였다. 반응표적의 매 박편에 대한 입사양성자에네르기는 넓은 에네르기대역에서 실험결과들과 잘 일치하는 반실험적인 제동능공식을 리용하여 초기평가되였으며 그 다음 Cu박편들에서 일어나는 검사반응 63Cu(p, n)63Zn과 65Cu(p, n)65Zn이 실험적인 결정에 리용되였다. 작업매질의 체적이 100cm3인 HpGe반도체검출기를 포함한 체계를 리용하여 반응생성물들의 방사능을 측정하였으며 예비증폭기와 선형증폭기, 4096다중통로분석기는 콤퓨터에 련결되였다.
152Eu표준원천에 의하여 방출되는 127.78, 224.67, 334.30, 367.73, 411.09, 778.90, 867.39, 964.00, 1085.80, 1112.67, 1212.89, 1299.19, 1408.08keV의 γ선들에 대한 계수효률을 결정하였다. 우리는 원천-검출기거리가 0, 2, 4, 8cm일 때 γ선에네르기의 함수로서 계수효률의 곡선을 얻었다. 생성핵들의 방사능을 결정하기 위하여 이 핵들의 붕괴성질들을 고찰하였다. 스펙트르분석프로그람 《Aptec》를 γ선의 총흡수봉우리를 연구하는데 리용하였으며 봉우리의 면적, 계수효률, γ붕괴수률을 고려하여 매 반응생성물의 방사능을 결정하였다. 방사능으로부터 반응단면적을 결정하고 그로부터 고찰하는 양성자핵반응의 려기함수곡선을 얻었다.
우리의 연구결과들은 잡지《Indian Journal of Physics》에 《Excitation functions for proton nuclear reactions on 64Zn, 66Zn, and 68Zn by stacked foil method》(https://doi.org/10.1007/s12648-024-03489-6)의 제목으로 발표되였다.
